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氮化镓半导体器件的性能优化仿真及制备研究
作为第三代宽禁带半导体材料,氮化镓(GaN)因为其高电子迁移率、高击穿电压、低导通电阻、开关频率快、耐高温等优良特性,而受到高压......
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AlGaN/GaN P-GaN二极管
Silvaco TCAD仿真
一种基于高肖特基势垒的高性能隧穿场效应晶体管
为提升隧穿场效应晶体管的正向导通性能,有效降低晶体管的体积,根据TFET与SB MOSFET的结构优势提出一种基于高肖特基势垒的高性能......
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